【摘要】：制备了CdTe+ZnS介质膜,将其应用于光伏探测器中,对器件的性能进行了测试,并通过理论计算,分析了器件的暗电流机构,得到一些相关的材料和器件性能参数。
【作者单位】：中国科学院上海技术物理所功能材料器件中心 中国科学院上海技术物理所功能材料器件中心 中国科学院上海技术物理所功能材料器件中心 中国科学院上海技术物理所功能材料器件中心 中国科学院上海技术物理所功能材料器件中心 中国科学院上海技术物理所功能材料器件中心
【关键词】： HgCdTe光伏探测器 双层钝化 暗电流
【分类号】：TN36
【正文快照】：
【关键词】： HgCdTe光伏探测器 双层钝化 暗电流
【分类号】：TN36
【正文快照】：
引言HgCdTe(MCT)光伏探测器对表面状态非常敏感,器件性能常常受到表面漏电的限制,在低温下尤其如此,已成为制约光伏探测器性能的瓶颈之一。在常规工艺中,常常通过溅射、蒸发ZnS、CdTe等钝化介质降低界面态,由于ZnS钝化的器件具有很好的绝缘性而得到了广泛应用,但在最近的研究
您可以在本站搜索以下学术论文文献来了解更多相关内容
热处理过程对HgCdTe光伏探测器性能的影响孙柏蔚;胡晓宁;
HgCdTe光伏器件多层钝化膜等离子体处理的研究储开慧;乔辉;汤英文;陈江峰;胡亚春;贾嘉;李向阳;龚海梅;
CdTe+ZnS双层钝化的HgCdTe光伏探测器的制备及性能研究孙涛;陈文桥;梁晋穗;陈兴国;胡晓宁;李言谨;